1.高功率激光系统和核聚变研究 1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议，1965年立项开始研究。经几年努力，建成了输出功率10（上标10）瓦的纳秒级激光装置，并于1973年5月在低温固靶、常温化锂靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国一台多程片状放大器，把激光输出功率提高了10倍，中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理后，积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统，对充气玻壳靶照射，获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破，使我国的激光聚变研究进入世界先进行列，也为以后长期的持续发展奠定了基础。
2.激光研究 1966年12月，科委主持召开了激光规划会，48个单位130余人参加，仙桃小型激光打标机，会议制定了包括含15种激光整机、9种支撑配套技术的发展规划。虽未正式批准生效，但仍起了有益的推动作用。此后的几年内，这一领域涌现了一批重要成果。
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半导体型
其发光源采用的是半导体列阵，所以光转换效率非常高，达到40%以上；热耗损低，无需单独配备冷却系统；耗电少，1800W/H左右。整机性能非常稳定，属于免维护产品，整机免维护时间可达到150000小时，相当于10年免维护，没有灯的更换，无耗材。
基础配置及技术规格：
型号项目 CCC-DP50
激光器 CCC-DP50（相干激光模块）
扫描振镜 YAG-16mm镜片
聚焦透镜 1064-110
Q开关 英国Gooch & Housego
控制软件专业激光标记软件for Windows98/2000/XP
冷却系统 水冷
工作方式 静态标记字体 50种以上的标准字体，并特殊设计手写字体输入功能
输入电源 220V AC 50Hz
激光输出功率 0-50W
激光打标机
激光打标机
打标频率0.5－50KHZ
整机功率 1500W
打标线宽 0.02mm
标刻深度 ≤3毫米（视材料可调）标刻速度 ≤7000㎜/s
小字符 0.2mm
打标范围 标准：110mm×110mm备 注 精密三维升降操作台
从1961年中国一台激光器宣布研制成功，在全国激光科研、教学、生产和使用单位共 同努力下，我国形成了门类齐全、水平先进、应用广泛的激光科技领域，并在产业化上取得可喜进步，为我国科学技术、国民经济和建设作出了积极贡献，在国际上了也争得了一席之地。
1957年，王大珩等在长春建立了我国一所光学专业研究所——（长春）光学精密 仪器机械研究所（简称“光机所”）。在老一辈专家带领下，一批青年科技工作者迅速成长，邓锡铭是其中的突出代表。早在1958年美国物理学家肖洛、汤斯关于激光原理的发 表不久，他便积极倡导开展这项新技术研究，在短时间内凝聚了富有创新精神的中青年研究 队伍，提出了大量提高光源亮度、单位色性、相干性的设想和实验方案。1960年世界一台激光器问世。1961年夏，小型激光打标机多少钱，在王之江主持下，我国一台红宝石激光器研制成功。此后短短几年内，小型激光打标机报价，激光技术迅速发展，产生了一批先进成果。各种类型的固体、气体、半导体和化学激 光器相继研制成功。在基础研究和关键技术方面、一系列新概念、新方法和新技术（如腔的Q突变及转镜调Q、行波放大、铼系离子的利用、自由电子振荡辐射等）纷纷提出并获得实施，其中不少具有独创性。
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